我国芯片制造＂卡脖子＂技术实现突破 光刻机概

据科技日报报道，武汉光电国家研究中心的棕松团队在科研领域取得了重大突破。该团队成功采用二束激光在自主研发的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，利用远场光学的方法，竟然光刻出了最小仅9纳米线宽的线段。这一成就，无疑是从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的一次重大创新。

甘棕松率领的团队不仅自主开发了多种光刻胶，还成功实现了光刻样机系统关键零部件的国产化，这对于集成电路制造业来说，无疑是一次巨大的技术飞跃。在现有的集成电路生产制造过程中，光刻机是其中的关键设备，而主流的深紫外和极紫外光刻机主要由荷兰的ASML公司垄断生产。这一技术垄断，长期困扰着我国的集成电路制造业，是我们面临的“卡脖子”技术难题。

甘棕松团队在没有可借鉴的技术情况下，成功地开拓了一条新的光制造路径。他们的研究成果不仅打破了国外在三维微纳光制造领域的技术垄断，更意味着我们在集成电路制造领域，从材料、软件到光机电零部件，都将逐渐摆脱受制于人的局面。随着团队解决制造速度等关键问题后，这项技术有望进一步应用于集成电路制造领域。

而在国内的相关企业中，苏大维格作为一家领先微纳结构产品制造和技术服务商，其微纳光刻设备已经走在国际前列。该公司能够为光子晶体、半导体功率芯片、MEMS等领域的研发和制备提供前沿且实用的纳米光刻工具。胜利精密也在互动平台上表示，公司光刻机产业化项目建成后，将主要用于生产光刻机成套装备。该公司拥有将业务扩展至光刻机产线整体解决方案的雄厚技术实力。

这项技术的突破和进步不仅是科研领域的重大成就，更是对我国制造业的一次巨大提升。我们期待着这项技术在未来的发展和应用，期待着它在集成电路制造领域创造出更多的价值，推动我国制造业的持续发展。